전자회로 실험: 다이오드 (diode) 특성

실험 목적 :

다이오드의 순방향과 역방향 특성을 익히고 다이오드 회로를 해석하는 것 

 

다이오드 특성 및 구조 

 

다이오드는 기본적인 구조는 P형 반도체 그리고 N형 반도체의 접합으로 이루어져 PN이다

 

 

PN접합은 3가의 불순물(impurity)이 도핑된 P형 반도체와 5가의 불순물이 도핑된 N형 반도체가 서로 접합.

P형 반도체의 영역은 그림에서 보듯이 +ve (hole)이 많은 쪽이고

이걸 더 전자기학으로 설명하면 concentration of hole > concentration of electron 이다.

N형 반도체의 영역은 그립에서 보듯이 -ve(electron)이 많은 쪽이다. 

concentration of hole < concentration of electron이다.

 

이 다이오드는 AC를 DC로 전환하는 정류회로 등 여러분야에서 아주 중요한 부품이다

정류 회로는 Rectifier인데 , 

이렇게 전류의 모양이 +ve쪽만 되게 변한다. 암튼 전류 회로 rectifier는 나중에 더 하고, diode에 들어가자

 

다이오드의 그래프를 이해하면,

f

 

forward-biased가 전류가 잘 흐르는 방향이다

e

 

 

reverse-biased가 전류가 잘 안흐르는 방향이다

그럼 zero-biased도는데 zero-biased는 무슨 뜻인가?-> 이 뜻은 no external active source is connected to it.

 

이때 다이오드 반도체성질은 나중에 카테고리에 올릴것이다.

아무튼 순방향 역방향만 알면된다.